- 深圳市金嘉锐电子有限公司
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营业执照：已审核
经营模式：IC经销商
所在地区：广东省 深圳
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- IC产品 | 元器件产品
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- 序号
- 产品图片
- 产品信息
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- 名称：CY7C1061GE30-10ZXI
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商: Cypress Semiconductor 产品种类: 静态随机存取存储器 RoHS: 详细信息 存储容量: 16 Mbit 组织: 1 M x 16 访问时间: 10 ns 接口类型: Parallel 电源电压-最大: 3.6 V 电源电压-最小: 2.2 V 电源电流—最大值: 110 mA 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 85 C 安装风
- 更新：2023-03-03 14:14:26
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- 名称：SST26VF016BT-104I/MF
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商: Microchip 产品种类: NOR闪存 RoHS: 详细信息 封装: Cut Tape 封装: Reel 存储类型: NOR 商标: Microchip Technology 湿度敏感性: Yes 产品类型: NOR Flash 工厂包装数量: 2000 子类别: Memory & Data Storage 单位重量: 73.800 mg
- 更新：2023-03-03 14:14:25
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- 名称：M95128-DRMN8TP/K
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商: STMicroelectronics 产品种类: 电可擦除可编程只读存储器 RoHS: 详细信息 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SO-8 存储容量: 128 kbit 组织: 16 k x 8 接口类型: SPI 数据保留: 200 Year 最大时钟频率: 20 MHz 电源电流—最大值: 5 mA 电源电压-最小: 1.8 V 电源电压-最大:
- 更新：2023-03-03 14:14:23
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- 名称：IS66WVE4M16EBLL-70BLI
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商: ISSI 产品种类: 静态随机存取存储器 RoHS: 详细信息 存储容量: 64 Mbit 组织: 4 M x 16 访问时间: 70 ns 接口类型: Parallel 电源电压-最大: 3.6 V 电源电压-最小: 2.7 V 电源电流—最大值: 30 mA 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 85 C 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体
- 更新：2023-03-03 14:14:22
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- 名称：CY7C1041G30-10ZSXI
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商: Cypress Semiconductor 产品种类: 静态随机存取存储器 RoHS: 详细信息 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TSOP-44 封装: Tray 商标: Cypress Semiconductor 湿度敏感性: Yes 产品类型: SRAM 工厂包装数量: 135 子类别: Memory & Data Storage 单位重量: 453.250 mg
- 更新：2023-03-03 14:14:21
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- 名称：SST26VF064B-104I/MN
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商: Microchip 产品种类: NOR闪存 RoHS: 详细信息 封装: Tray 存储类型: NOR 商标: Microchip Technology 湿度敏感性: Yes 产品类型: NOR Flash 工厂包装数量: 480 子类别: Memory & Data Storage 单位重量: 141.500 mg
- 更新：2023-03-03 14:14:20
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- 名称：PE-52647NL
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商: Pulse 产品种类: 固定电感器 RoHS: 详细信息 端接类型: Radial 电感: 330 uH 最大直流电流: 1 A 最大直流电阻: 780 mOhms 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 130 C 测试频率: 20 kHz 终端: - 安装风格: PCB Mount 长度: 18.03 mm 宽度: 12.95 mm 高度: 11.6
- 更新：2023-03-03 14:14:18
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- 名称：MRF1K50H-TF2
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商: NXP 产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RoHS: 详细信息 晶体管极性: Dual N-Channel Id-连续漏极电流: 36 A Vds-漏源极击穿电压: 135 V 技术: Si 增益: 23.7 dB 输出功率: 1500 W 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 150 C 安装风格: SMD/SMT
- 更新：2023-03-03 14:14:17
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- 名称：MRF1K50GNR5
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商: NXP 产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RoHS: 详细信息 晶体管极性: N-Channel Id-连续漏极电流: 36 A Vds-漏源极击穿电压: 133 V 技术: Si 增益: 23 dB 输出功率: 1.5 kW 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 150 C 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体
- 更新：2023-03-03 14:14:16
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- 名称：QPD1000
- 类别：eof
- 市场价：
- 本站价：
- 说明：制造商: Qorvo 产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 RoHS: 详细信息 晶体管类型: HEMT 技术: GaN SiC 增益: 19 dB 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 28 V Vgs-栅源极击穿电压 : 100 V Id-连续漏极电流: 817 mA 输出功率: 24 W 最小工作温度: - 40 C 最大工作
- 更新：2023-03-03 14:14:15
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